Компания Samsung объявила о начале массового производства флэш-памяти V-NAND с производительностью на 33% выше, чем у существующих на данный момент. TCL V-NAND, которая будет запущена в этом месяце, будет иметь емкость 1 Тбит, а QLC V-NAND анонсирована на вторую половину 2024 года.
Битовая плотность V-NAND 9-го поколения примерно на 50 % выше, чем у V-NAND 9-го поколения. Это достигается благодаря новым технологиям снижения помех в ячейках, увеличения срока службы ячеек и уменьшения их площади за счет технологии Channel Hole Etching.
V-NAND 9 также оснащена интерфейсом нового поколения NAND Toggle 5.1 с производительностью до 3,2 IOPS, что на 33 % больше, чем в предыдущем поколении. Общая энергоэффективность была увеличена на 10 %.
