После представления компанией Micron чипов DDR5 емкостью 24 Гбайт наступает очередь серийного производства 32 Гбайт DDR5 и более мощных чипов в первой половине 2024 года. Этот прогресс является частью анонса памяти HBM3 Gen2.
Память DDR5 емкостью 32 Гбайт от Micron будет создаваться по передовому технологическому процессу 1β (1-beta), который, что примечательно, не использует экстремальную ультрафиолетовую литографию. Хотя компания Micron не раскрывает скорости передачи данных для этих новых 32-гигабитных блоков, они обладают потенциалом для создания модулей DDR5 с ошеломляющей емкостью в 1 ТБ. Однако в следующем году Micron планирует первоначально предлагать модули емкостью 128 Гбайт, что свидетельствует об осторожном подходе к памяти максимальной емкости.
Что касается памяти HBM3 Gen2, то в конфигурации с 8-уровневым стеком ее общая пропускная способность составляет 1,2 ТБ/с. В результате максимальная емкость памяти этого поколения составляет 24 ГБ, а в скором времени могут появиться и 36-гигабайтные схемы. Примечательно, что энергоэффективность новинки повысилась в 2,5 раза по сравнению с предыдущим поколением, HBM2E.
В перспективе "дорожная карта" компании Micron включает память HBMNex, которая, скорее всего, будет обозначаться как HBM4. Память нового поколения, выход которой ожидается в 2026 году, обещает обеспечить впечатляющую пропускную способность 2+ ТБ/с и поддерживать емкость до 64 ГБ. Эти разработки свидетельствуют о стремлении компании "Micron" расширить границы технологий памяти и удовлетворить растущие потребности вычислительных приложений.
